時間：2023-03-21 17:07:09
緒論：在尋找寫作靈感嗎？愛發(fā)表網(wǎng)為您精選了8篇電阻測量論文，愿這些內(nèi)容能夠啟迪您的思維，激發(fā)您的創(chuàng)作熱情，歡迎您的閱讀與分享！
論文關(guān)鍵詞：為何只用一只電壓表測量
探究導(dǎo)ks5u.com體電阻與其影響因素的定量關(guān)系的實驗是人教版物理3-1中的探究實驗，教材實驗電路如圖1所示，圖中a、b、c ks5u.com、d四條不同的金屬導(dǎo)體.在長度、橫截面積、材料三個因素方面，b、c、d跟a相比分別只有一個因素不同物理論文，b與a ks5u.com長度不同；c與a橫截面積不同，d與a材料不同. 由于四段導(dǎo)體是串聯(lián)的，每段導(dǎo)體的電壓與它們的電阻成正比，因此用電壓表分別測量a、b、c、d兩端的電壓，由電壓之比就得到ks5u.com電阻之比.
該實驗與舊教材測定金屬的電阻率實驗相比，實驗的重點不是測量待測導(dǎo)線的具體電阻值，而是運用比值法和控制變量法的思想去探究電阻與其影響因素的定量關(guān)系，體現(xiàn)了新課程實驗重在培養(yǎng)學(xué)生科學(xué)思想和探究能力的特色.然而物理論文，不少老師發(fā)現(xiàn)教材電路圖是用一只電壓表分別測量a、b、c ks5u.com、d電壓的（圖中用虛線表示的），為何不用四只相同的電壓表同時測量電壓（如圖2）呢？是不是電路圖畫錯了呢？為此，下面從實驗的誤差角度來分析這一問題.
為便于分析，現(xiàn)將問題簡化為比較用一只電壓表分別測兩只電阻絲的（如圖3）電阻之比和用兩只電壓表測量兩個電阻絲（如圖4）電阻之比的誤差.
為簡化分析，先討論電源內(nèi)阻r=0的理想化的情形.設(shè)電源電動勢為E，電阻絲a、b的電阻分別為Ra、Rb，圖3中電壓表的測量值分別為Ua、Ub，圖4中電壓表的測量值分別為、物理論文，電壓表內(nèi)阻為RV.
電阻絲a與電壓表并聯(lián)時，電阻,ks5u.com
電阻絲b與電壓表并聯(lián)時，電阻,
圖3中 ，
整理得，即
圖3中 ，
整理得，即
所以，在不考慮電源內(nèi)阻的情況下物理論文，用一只電壓表測得兩只電阻絲的電阻之比比用兩只電壓表測得兩只電阻絲的電阻之比的誤差小.
在實際實驗中，電源有內(nèi)阻，還要接入滑動變阻器.假設(shè)滑動變阻器接入電路的阻值和電源內(nèi)阻之和為R0，再來比較圖3、圖4兩種測量結(jié)果的誤差.
圖3中 ，
整理得
即
圖4中 ，
整理得，即
比較與的大小.因，無論為真、假分?jǐn)?shù)物理論文，根據(jù)不等式的性質(zhì)可知比更接近于1，所以用一只電壓表測得兩只電阻絲的電阻之比比用兩只電壓表測得兩只電阻絲的電阻之比的誤差小.
上述分析方法和結(jié)論同樣適用于四個電阻絲接入電路的情形，只是計算較為繁瑣而已.
可見，在探究導(dǎo)ks5u.com體電阻與其影響因素的定量關(guān)系的實驗中，用一只電壓表分別測量導(dǎo)體a、b、c、d的電壓得到的電阻之比比用四只相同的電壓表分別測量a、b、c、d兩端的電壓得到的電阻之比誤差小，所以教材電路中將電壓表的連線畫成虛線是科學(xué)的和正確的.
參考文獻(xiàn)
張維善主編.普通高中課程標(biāo)準(zhǔn)實驗教科書，物理選修3-1.人民教育出版社，2007.56
論文關(guān)鍵詞：電表，反常規(guī)用法
電表的反常規(guī)用法是近幾年高考的熱點問題，相對學(xué)生來講也恰恰是一個難點問題。電表的反常規(guī)用法一般有這么兩種設(shè)計方案，其一就是用電流表來測電壓，題目里往往把已知確定阻值的電流表當(dāng)作電壓表使用或把一個電流表和一個定值電阻改裝為電壓表適用；其二就是用電壓表來測電流，解題時需要把確定阻值的電壓表當(dāng)作電流表使用。
例1、現(xiàn)有一塊靈敏電流表 ，量程為200，內(nèi)阻約為1000，要精確測出其內(nèi)阻R1教育學(xué)論文教育論文，提供的器材有：
電流表 (量程為1mA，內(nèi)阻R2=50)；電壓表(量程為3V，內(nèi)阻RV約為3k)；
滑動變阻器R(阻值范圍為0~20)；定值電阻R0(阻值R0=100)；
電源E(電動勢約為4.5V，內(nèi)阻很小)；單刀單擲開關(guān)S一個，導(dǎo)線若干。
(1)請將上述器材全部用上，設(shè)計出合理的便于多次測量的實驗電路圖，并保證各電表的示數(shù)超過其量程的1/3，將電路圖畫在圖示的虛框內(nèi)。
(2)在所測量的數(shù)據(jù)中選一組，用測量量和已知量來計算 表的內(nèi)阻，表達(dá)式為R1=I2(R0+R2)/I1，表達(dá)式中各符號表示的意義是I1表示 表的示數(shù)，I2表示表的示數(shù)，R2表示 表的內(nèi)阻，R0表示定值電阻的阻值畢業(yè)論文開題報告。
解析：此題目的本意是要考查學(xué)生對伏安法測電阻原理的掌握情況，但是該題目中所給出的電壓表量程過大，只能用于保護(hù)電路使用。因此沒有合適的電壓表可以直接利用教育學(xué)論文教育論文，這時候我們必須依照伏安法測電阻的基本原理做出適當(dāng)?shù)母倪M(jìn)，將電流表 和定值電阻R0改裝成電壓表，題目就迎刃而解了。
例2、從下面所給出的器材中選出適當(dāng)?shù)膶嶒炂鞑模O(shè)計一電路來測量電流表A1的內(nèi)阻r1。要求方法簡捷，有盡可能高的測量精度，并能測得多組數(shù)據(jù)。
電流表A1(量程100mA，內(nèi)阻r1約40，待測)
電流表A2(量程50，內(nèi)阻r2=750)； 電壓表V(量程10V，內(nèi)阻r3=10k)；
電阻R1(阻值約100，作保護(hù)電阻用)； 滑動變阻器R2(總阻值約50)
電源E(電動勢1.5V，內(nèi)阻很小)；電鍵S，導(dǎo)線若干
(1)在虛線方框中畫出電路圖，標(biāo)明所用器材的代號。
(2)若選測量數(shù)據(jù)中的一組來計算r1，寫出所用的表達(dá)式并注明式中各符號的意義。
r1=r2I2/ I1 其中I1和I2分別表示A1和 A2的電流。
解析：本題給出了電壓表和電流表，若采用下圖所示的電路進(jìn)行測量時教育學(xué)論文教育論文，電壓表的示數(shù)不到滿量程的1/20，測量值不準(zhǔn)確，因為電表的示數(shù)沒有接近量程的一半或一半以上。
因此，用上圖所示的電路不能較準(zhǔn)確的測量A1的內(nèi)阻。這時候我們可以把已知電阻的電流表A2當(dāng)做電壓表來使用，電流表A2兩端的電壓可以由其示數(shù)和內(nèi)阻推算出來，A2兩端的電壓也就是A1兩端的電壓，這樣就可以較準(zhǔn)確的測量出A1的內(nèi)阻了畢業(yè)論文開題報告。
例3、使用以下器材測量一待測電阻Rx的阻值(900-1000)。電源E，具有一定內(nèi)阻，電動勢約為9.0V；電壓表V1，量程為1.5V，內(nèi)阻r1=750；電壓表V2，量程為5V，內(nèi)阻r2=2500；滑動變阻器R，最大阻值約為100；單刀單擲開關(guān)K，導(dǎo)線若干。
(1)測量中要求電壓表的讀數(shù)不小于其量程的1/3,試畫出測量電阻Rx的一種實驗電路原理圖。
或
(2)若電壓表V1的讀數(shù)用U1表示，電壓表V2的讀數(shù)用U2表示教育學(xué)論文教育論文，則由已知量和測得量表示Rx的公式為Rx= U1r1 r2/( U2 r1—U1 r2)或(U2—U1 )r1/U1
解析：該題目還是測未知電阻Rx的阻值的，顯然本題目并沒有給出電流表，我們不難發(fā)現(xiàn)本題里面已知兩個電壓表，而且電壓表的內(nèi)阻都是已知的，用電壓表的讀數(shù)除以本身的內(nèi)阻就可得到通過自身的電流了，因此，我們完全可以把電壓表當(dāng)電流表來使用。
總而言之，類似的實驗都是考查伏安法測電阻的基本原理，只要實驗?zāi)康拿鞔_，充分利用題目所給出的器材，不難找出解題思路。
（作者信息：吳志民 1980.06 男 漢 甘肅 中學(xué)一級 理學(xué)學(xué)士 課堂教學(xué)及課堂互動研究）
關(guān)鍵詞：電阻擋,二極管正向電阻
晶體二極管是電子技術(shù)中最常用的半導(dǎo)體器件之一，在使用前，通常先要判別其極性、檢查其好壞，否則電路不僅不能正常工作，甚至還有可能燒毀二極管和其它元件。在電子技術(shù)教學(xué)、生產(chǎn)實踐過程中，常用萬用表的電阻擋來測量晶體二極管極間的正反向電阻，以判別其正負(fù)極、檢查其單向?qū)щ娦阅艿暮脡?。對于正常的晶體二極管，反向電阻應(yīng)很大（硅管：萬用表指針一般不動，鍺管：指針只啟動一點），正向電阻應(yīng)較小。測量時，由于R×1擋電流較大容易使小電流晶體二極管損壞，R×10k擋電壓較高容易使低耐壓晶體二極管損壞，因此通常選用R×100或R×1k擋。但當(dāng)我們用萬用表不同電阻擋測同一晶體二極管的正向電阻時，會發(fā)現(xiàn)電阻值是不同的。例如用MF30型萬用表測得某2CZ52B晶體二極管的正向電阻如下：撥到R×10擋時，阻值為58Ω；撥到R×100擋時，阻值為450Ω；撥到R×1k擋時，阻值為3.5kΩ。
為什么會出現(xiàn)這種情況呢？這得結(jié)合萬用表電阻擋測量電路和晶體二極管正向電阻測量電路兩方面來分析。論文參考網(wǎng)。
一、萬用表電阻擋測量電路分析
萬用表的直流電阻擋實際上是一只多量程的歐姆表，原理如圖1所示。圖1中：E為電池電壓，Rc為表頭內(nèi)阻，R為串聯(lián)電阻，Rx為被測電阻。根據(jù)歐姆定律，圖中的電流I=E/(Rc+R+Rx)。顯然，I與Rx成非線性關(guān)系。由于Rc和R都為已知值，所以被測電阻Rx阻值大，電流I就小，相應(yīng)的指針偏轉(zhuǎn)角也小。當(dāng)Rx→∞時，電流I=0，指針不偏轉(zhuǎn)；當(dāng)Rx=0時，電路中電流最大，指針偏轉(zhuǎn)角最大，為滿刻度，此時回路中的電阻為Rc+R，這就是歐姆表的總內(nèi)阻；當(dāng)Rx=Rc+R時，電路中的電流恰好為最大電流的一半，指針偏轉(zhuǎn)角為滿刻度的一半，指針位于標(biāo)度尺中間，因此，總內(nèi)阻Rc+R也被稱為歐姆中心值。
為了能測量各種阻值的電阻，歐姆表都制成多量程的，一般萬用表中的歐姆擋有R×1，R×10，R×100，R×1k等。對不同量程的電阻擋，在測量電阻時由于采用同一標(biāo)度尺讀數(shù)，因而采用不同的分流電阻來改變流過表頭的電流，使指針偏轉(zhuǎn)角不同，其原理電路如圖2所示。圖中，R 3 、R 4 、R 5 、R 6 組成閉路式分流器，使歐姆表分為R×1、R×10、R×100、R×1k四個倍率擋。低阻擋用小的分流電阻，高阻擋用大的分流電阻。例如，R×1擋的分流電阻是R 3 ，R×10擋的分流電阻是R 3 +R 4 。當(dāng)被測電阻R X 的阻值較大時，則轉(zhuǎn)換開關(guān)應(yīng)接到高阻擋。這時，雖然整個電路的電流因R X 的增大而減小，但由于分流電阻也相應(yīng)增大，分流減小，所以流過表頭的電流仍保持不變，同一指針位置所表示的電阻值相應(yīng)擴大。因此，被測電阻的實際值應(yīng)等于標(biāo)度尺上的讀數(shù)乘以所用電阻擋的倍率。圖2中，R 1 和R 2 組成分壓式歐姆調(diào)零器。調(diào)零電阻R 2 和電阻R 1 串聯(lián)，可使支路的分流作用限制在一定范圍內(nèi)，R 7 、R 8 和R 9 為各相應(yīng)擋的串聯(lián)電阻，它們的作用是使各擋總內(nèi)阻都等于該擋的歐姆中心值。因此電阻擋不同，歐姆中心值也不同。例如MF30型萬用表當(dāng)撥到R×1擋時，歐姆中心值為25Ω；撥到R×10擋時，歐姆中心值為250Ω；撥到R×100擋時，歐姆中心值為2.5kΩ；撥到R×1k擋時，歐姆中心值為25 kΩ。
由此可以看出，不同電阻擋，歐姆中心值也不一樣，當(dāng)電阻擋越大時，歐姆中心值也越大，此時整個電路的電流將減小，即流過被測電阻的電流就越小。
二、晶體二極管正向電阻測量電路的直流圖解分析
若把圖1中的被測電阻R X 改為晶體二極管，如圖3所示，則該圖即為晶體二極管正向電阻測量電路。由于晶體二極管為非線性器件，因此該測量電路屬非線性電路，而歐姆定律只適用于線性電路，因此圖3電路宜采用圖解法分析。圖中u D 下端晶體二極管支路伏安特性表達(dá)式為i D =f(u D )=I S (e uD/uT －1) ，其對應(yīng)正向伏安特性曲線如圖4中OQP，為一非線性曲線；u D 上端線性支路的特性方程為u D =E-i D (R+Rc)，該方程所描述的是圖4中的直線MN，其斜率等于-1/(R+Rc)。論文參考網(wǎng)。直線MN與晶體二極管正向伏安特性曲線相交于Q點，Q點即為直流工作點，它反映了晶體二極管直流工作時的正向電壓和電流。
圖3測量電路中的晶體二極管處于正向直流工作狀態(tài)，此時所呈現(xiàn)的電阻為正向直流電阻R D 。對應(yīng)于圖4，R D =U Q /I Q ，顯然R D 值等于直流工作點Q與原點O間所連直線OQ的斜率的倒數(shù)，當(dāng)工作電流I Q 不同時，Q點會沿著伏安特性曲線而移動，這時Q點與原點間所連直線OQ的斜率就不同，正向電阻R D 值也就不同，而且I Q 越小，R D 越大。
由此可知，當(dāng)流過被測晶體二極管的正向電流越小時，晶體二極管的正向電阻就越大。
綜合上面兩個方面的分析，由于萬用表電阻測量電路中，電阻擋越大，歐姆中心值越大，流過晶體二極管的電流就越小，又由于晶體二極管正向電阻測量電路中，流過晶體二極管的電流越小，直流工作點Q就越低，直線OQ的斜率越小，因而正向電阻就越大。因此，當(dāng)用萬用表不同電阻擋測同一晶體二極管的正向電阻時，測得的結(jié)果是不同的，電阻擋越大，正向電阻也越大。反之，則越小。
那么，究竟用哪一電阻擋測得的電阻值作為晶體二極管的正向電阻呢？一般情況下，取萬用表R×1k擋測得的電阻作為其正向電阻。論文參考網(wǎng)。其實，同一晶體二極管在用同一萬用表不同電阻擋測時正向電阻不相同，用不同萬用表相同電阻擋測時也是不相同的。也就是說，在改變測量條件時，晶體二極管的正向電阻也將隨之改變。因此，用萬用表電阻擋測量晶體二極管的正向電阻和反向電阻，通常僅僅是用來判別其正負(fù)極或檢查其單向?qū)щ娦阅艿暮脡亩?，正向電阻具體數(shù)值的多少并無實際意義。
參考文獻(xiàn)：
［1］文春帆，金受非主編．電工儀表與測量（第二版）．北京：高等教育出版社，2004
［2］童詩白，華成英主編．模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（第三版）．北京：高等教育出版社，2001
［3］閔銳，徐勇，孫崢編著．電子線路基礎(chǔ)．西安：西安電子科技大學(xué)出版社，2003
關(guān)鍵詞：自然電位測井，影響因素，解決方法
一：自然電位的成因
在鉆井剖面上煤巖層形成的自然電位場，是由煤巖層和井液間的電化學(xué)作用產(chǎn)生的。按其成因可分為兩大類：一是由電子導(dǎo)電性礦層和井液形成的氧化還原電位。免費論文參考網(wǎng)。這種氧化還原電位多發(fā)生在高階質(zhì)煤層上。另一類是由井液和孔隙性煤巖層形成的離子性的擴散吸附電位、過濾電位。
1：氧化還原電位形成機理
氧化還原電位是由礦層和井液的氧化還原反應(yīng)形成的。當(dāng)?shù)V層在井液中處于氧化環(huán)境中，礦層中的物質(zhì)成份由于被氧化而失去電子帶正電，井液物質(zhì)成分由于獲得電子帶負(fù)電。這樣在礦層和井液的界面處當(dāng)氧化環(huán)境達(dá)到平衡時就形成電位差。這時我們就可以測量到該礦層的自然電位的負(fù)異常。
當(dāng)?shù)V層在井液中處于還原環(huán)境時，礦層中的物質(zhì)成份由于被還原而得到電子帶負(fù)電，井液物質(zhì)成份由于失去電子帶正電，這樣也在礦層和井液的界面處當(dāng)還原環(huán)境達(dá)到平衡時就形成電位差。這時就可以測量到該礦層的自然電位的正異常。
2：擴散吸附電位形成機理
擴散吸附電位一般形成于孔隙性地層和含水層中。是由于井液離子向地層滲透過程中，在井液和地層的界面處的離子濃度差形成的，與煤巖層的孔隙度大小有關(guān)。也與井液的礦化度有關(guān)。
一般負(fù)離子的移動速度大于正離子的移動速度。當(dāng)?shù)貙铀牡V化度Cw大于井液的礦化度Cf時，地層水中的負(fù)離子向井液中擴散，擴散達(dá)到平衡時，地層水中就有較多的正離子而帶正電，井液中就有較多的負(fù)離子而帶負(fù)電。在井液和地層之間就形成電位差。這種電動勢主要取決于兩種溶液的活度（礦化度）比值。并與溶液的溫度和離子成份有關(guān)。該電動勢的大小可表示如下：
E=K*Log (Cw/Cf)
式中 k 為擴散電動系數(shù)，單位 毫伏，Cw 為地層水的電化學(xué)活度， Cf 為井液泥漿的電化學(xué)活度。
二：自然電位測井的干擾因素及解決辦法
目前，自然電位測井大多采用井下M電極，地面N電極的測量方式。免費論文參考網(wǎng)。而且測井時大多和電阻率測井共用M電極。所以自然電位測井的影響因素較多。
1：電極極化電位的影響及解決辦法
測井時，測量電極M和地面電極N同時存在著和泥漿井液間的電極極化電位，這種電極極化電位主要取決于電極采用金屬材料的電化學(xué)活性，活潑金屬的電極電位大且不穩(wěn)定，不活潑金屬的電極電位小且穩(wěn)定。所以測井電極一般采用不活潑的金屬材料制作。電極電位的存在使得自然電位測井時曲線產(chǎn)生漂移現(xiàn)象。同時電極表面經(jīng)長期使用產(chǎn)生凸凹銹蝕，使得和井液接觸時產(chǎn)生較大的電極極化電位，同樣使自然電位曲線產(chǎn)生漂移。
解決辦法一般采用不活潑的金屬鉛做視電阻率測井和自然電位測井的供電及測量主電極。而且在測井前使 M , N 電極表面光滑、干凈?？梢詼p少這類干擾因素的影響。
2：電阻率測井漏電干擾及解決辦法
目前煤田測井中，普遍采用視電阻率和自然電位共用測量電極M同時測量的方式，有時產(chǎn)生測得的自然電位曲線和視電阻率曲線倒形相似現(xiàn)象。在實際工作中經(jīng)多方面分析研究認(rèn)為：視電阻率測量地面供電B電極和電阻率與自然電位測量共用地面N電極之間距離有關(guān)，同時也與井液泥漿的礦化度有關(guān)。供電B電極一般放在井口，N電極一般在泥漿池。二者距離短時有時就會產(chǎn)生這種現(xiàn)象。分析其原因是B電極和N電極之間的接地電阻大小有關(guān)。
在實際測井工作中經(jīng)多次驗證。將視電阻率測井和自然電位測井時共用的地面N電極改用電纜鎧皮作N電極可以消除這一現(xiàn)象?；?qū)⒌孛鍮、N電極距離加長至消除這一現(xiàn)象。免費論文參考網(wǎng)。
三：總結(jié)及建議
自然電位測井的影響因素較多，如工業(yè)雜散電流的影響、絞車滑環(huán)接觸電阻的影響、儀器面板插座接觸不良的影響等。希望我們今后在實際測井工作中及時發(fā)現(xiàn)問題及時解決。另外希望儀器制造廠家最好將測量電路做在探管中，以數(shù)字脈沖碼的方式向地面儀器傳送測量信號，這樣可以減少很多干擾因素的影響。
參看文獻(xiàn)：
(1)：李舟波孟令順 梅忠武編著，資源綜合地球物理勘查，地質(zhì)出版社，2006
關(guān)鍵詞：壓力傳感器，薄膜，敏感柵
隨著社會的發(fā)展，信息處理技術(shù)、微處理器和計算機技術(shù)的快速發(fā)展和廣泛應(yīng)用，都需要在傳感器的開發(fā)方面有相應(yīng)的進(jìn)展?，F(xiàn)在非電物理量的測試與控制技術(shù)，已越來越廣泛地應(yīng)用于航天、航空、常規(guī)武器、船舶、交通運輸、冶金、機械制造、化工、輕工、生物醫(yī)學(xué)工程、自動檢測與計量、稱重等技術(shù)領(lǐng)域[1]，而且也正在逐步引入人們的日常生活中。免費論文參考網(wǎng)?？梢哉f測試技術(shù)與自動控制技術(shù)水平的高低，是衡量一個國家科學(xué)技術(shù)現(xiàn)代化程度的重要標(biāo)志。傳感器是信息采集系統(tǒng)的感應(yīng)單元，所以，它是自動化系統(tǒng)和控制設(shè)備的關(guān)鍵部件，作為系統(tǒng)中的一個結(jié)構(gòu)組成，在科技、生產(chǎn)自動化領(lǐng)域中的作用越來越重要[2]。
傳感器亦稱換能器，是將各種非電量（包括物理量，化學(xué)量，生物學(xué)量等）按一定的規(guī)律轉(zhuǎn)換成便于處理和傳輸?shù)牧硗庖环N物理量（一般為電量、磁量等）的裝置[3]，它能把某種形式的能量轉(zhuǎn)換成另一種形式的能量。傳感器一般由敏感元件、傳感元件和測量電路3部分組成，有時還需加上輔助電源。免費論文參考網(wǎng)。其原理如圖1所示。
其中：①敏感元件直接感受被測物理量，如在應(yīng)變式傳感器中為彈性元件；②傳感元件將感受到的非電量直接轉(zhuǎn)換成電量，是轉(zhuǎn)換元件，如固態(tài)壓阻式壓力傳感器；③測量電路是將傳感元件輸出的電信號轉(zhuǎn)換為便于顯示、控制和處理的有用電信號的電路，使用較多的是電橋電路。由于傳感器元件輸出的信號一般較小，大多數(shù)的測量電路還包括放大電路，有的還包括顯示器，直接在傳感器上顯示出所測量的物理量；④輔助電源是供給傳感元件和測量電路工作電壓和電流的器件。
國際電工委員會IEC則將傳感器定義為測量系統(tǒng)中的一種前置部件，它將輸入變量轉(zhuǎn)換成可供測量的信號[4]。傳感器是傳感器系統(tǒng)的一個組成部分，是被測量信號輸入的第一道關(guān)口。對傳感器在技術(shù)方面有一定的要求，而同時亦要考慮盡可能低的零點漂移、溫度漂移及蠕變等[5]。近年來，傳感器有向小型化、集成化、智能化、系列化 、標(biāo)準(zhǔn)化方向發(fā)展的趨勢[6]。
電阻式傳感器的工作原理是將被測的非電量轉(zhuǎn)換成電阻值，通過測量此電阻值達(dá)到測量非電量的目的。這類傳感器大致分為兩類：電阻應(yīng)變式和電位計式。利用電阻式傳感器可以測量形變、壓力、力、位移、加速度和溫度等非電量參數(shù)。
壓力傳感器是將壓力這個物理量轉(zhuǎn)換成電信號的一種電阻應(yīng)變式傳感器。傳統(tǒng)的電阻應(yīng)變式壓力傳感器是一種由敏感柵和彈性敏感元件組合起來的傳感器[7]。如圖2所示，將應(yīng)變片用粘合劑粘貼在彈性敏感元件上，當(dāng)彈性敏感元件受到外施壓力作用時，彈性敏感元件將產(chǎn)生應(yīng)變，電阻應(yīng)變片將它們轉(zhuǎn)換成電阻變化，再通過電橋電路及補償電路輸出電信號。它是目前應(yīng)用較多的壓力傳感器之一，因具有結(jié)構(gòu)簡單、使用方便、測量速度快等特點而廣泛應(yīng)用于航空、機械、電力、化工、建筑、醫(yī)學(xué)等諸多領(lǐng)域。
傳統(tǒng)的電阻應(yīng)變式壓力傳感器的電阻敏感柵是刻錄在一層絕緣脂薄膜上，而薄膜又通過粘結(jié)劑粘合到彈性基片上，由于彈性元件與粘結(jié)劑及絕緣脂膜之間的彈性模量不同，彈性元件的應(yīng)變不能直接傳遞給敏感柵，而是要通過粘結(jié)劑、絕緣脂膜才能到達(dá)敏感柵，從而產(chǎn)生較大的蠕變和滯后，影響傳感器的靈敏度、響應(yīng)度、線性度等性能。另外，由于粘結(jié)劑不能在高溫條件下使用，這也使它的應(yīng)用范圍受到限制。
為了消除絕緣薄膜層和粘結(jié)劑層對傳感器性能的影響，可以嘗試采用真空鍍膜方法及光刻技術(shù)，在彈性元件上直接刻錄敏感柵，彈性元件與敏感柵直接接觸，以克服常規(guī)工藝導(dǎo)致的滯后和蠕變大的缺陷。另外，如果彈性材料和結(jié)構(gòu)選擇恰當(dāng)，還可制成耐高溫、耐腐蝕的全隔膜式薄膜壓力傳感器。
一、器件研制
采用真空鍍膜技術(shù)在彈性基片上蒸鍍一層約300nm金屬柵材料的薄膜，用半導(dǎo)體光刻技術(shù)，在彈性基片上直接形成電阻敏感柵，最后利用耐高溫、耐酸堿腐蝕的環(huán)氧樹脂粘結(jié)劑，將制作好的芯片封裝在工件中，組成壓力傳感器探頭。經(jīng)過熱老化、電老化，待封裝應(yīng)力趨于穩(wěn)定后，進(jìn)行電性能測試。
在制作薄膜電阻應(yīng)變式壓力傳感器中，采用的工藝流程如圖3所示。
關(guān)鍵詞：鈣鈦礦錳基氧化物，復(fù)合，顆粒表面，晶界，低場室溫磁電阻效應(yīng)
1 引 言
Re1-xMexMnO3(Re=La, Y, Me=Ca, Ba, Sr, Pb, K)型鈣鈦礦錳氧化物由于具有龐磁電阻效應(yīng)（CMR）而成為當(dāng)前材料科學(xué)領(lǐng)域的研究熱點[1-4].
鈣鈦礦錳氧化物與Ag形成二相復(fù)合體系，分離出來的非磁性金屬相Ag和磁性鈣鈦礦相交錯，形成豐富顆粒表面[5-6]，從而有效提高材料室溫磁電阻效應(yīng)。本文以La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3為母相材料，與不同摩爾比的AgNO3摻雜，研究了非磁性Ag離子的摻雜對復(fù)合材料電輸運特性以及磁電阻效應(yīng)的影響。
2 實 驗
2.1 樣品制備
利用甘氨酸－硝酸鹽法[7]（GNP）法制備了La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3納米粉末。取適量該納米粉末分別與AgNO3按照10:1，10:2，10:3摩爾比混合低場室溫磁電阻效應(yīng)物理論文物理論文，將其在600℃馬弗爐中熱處理4小時后，在瑪瑙研缽中充分研磨,將樣品在10MPa壓強下壓成直徑12mm,厚約1mm圓片。在空氣環(huán)境下，將樣品在提拉式爐中逐步升溫到1300℃，燒結(jié)5小時后自然冷卻，從而得到La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3/xAg納米復(fù)合材料（x＝0.1；0.2；0.3）。
2.2 性能測試
樣品的XRD圖譜由X射線衍射儀測得；利用掃描電子顯微鏡（SEM）觀察樣品平均晶粒尺寸，并研究樣品形貌；樣品的磁性用振動樣品磁強計（VSM）測量；電阻率及磁電阻值采用標(biāo)準(zhǔn)四引線法在DSZ-1型磁電阻測試儀上測量。
3 結(jié)果與討論
圖1所示是樣品La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3/xAg的X射線衍射圖譜（x＝0；0.1；0.2；0.3）。譜圖與標(biāo)準(zhǔn)X光卡片對照,樣品均是單相正交鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。圖譜中沒有AgNO3的峰出現(xiàn)，可推斷AgNO3完全分解成金屬Ag，而且Ag的摻雜并沒有影響母相錳氧化物的本征結(jié)構(gòu)。
圖1. 樣品La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3/xAg的XRD圖譜（x＝0；0.1；0.2；0.3）
圖2所示是樣品La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3/xAg的SEM觀測到的形貌圖（x＝0；0.1；0.2；0.3）?？梢郧宄乜吹教砑覣g后的樣品有很多小孔，且在大多數(shù)小孔中都有一兩個直徑大約是3~5um小亮珠。對這些小圓珠做能譜分析，結(jié)果顯示這些亮珠是金屬銀的顆粒。由于這些金屬銀發(fā)生了團(tuán)聚現(xiàn)象，在測量樣品XRD時也沒有銀的特征峰出現(xiàn)。由此得出結(jié)論：Ag沒有進(jìn)入La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3的晶格，由于Ag在1000攝氏度以下熔化，所以Ag會發(fā)生團(tuán)聚。
ab
cd
圖2 a、b、c、d分別是的掃描電鏡圖（x＝0；0.1；0.2；0.3）
圖3是用VSM測量了外加磁場為1T時，La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3/xAg系列樣品的磁矩M和溫度T曲線。從圖中可以看到添加Ag后的樣品磁矩降低，但是居里溫度Tc沒有變化，都在310K左右。樣品飽和磁矩降低，是因為摻雜的Ag為無磁性的物質(zhì)低場室溫磁電阻效應(yīng)物理論文物理論文，對母相材料的磁性產(chǎn)生稀釋作用。Ag填隙在晶粒間，不影響母相材料的固有結(jié)構(gòu)，所以所有樣品的Tc都應(yīng)該與母相材料相同。
圖3 La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3/xAg的M－T曲線（x＝0；0.1；0.2；0.3）。
如圖4所示是樣品La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3的電阻率和溫度曲線及磁電阻效應(yīng)曲線。樣品的零場ρ－T關(guān)系曲線表明:高溫時樣品表現(xiàn)為絕緣體導(dǎo)電行為，電阻率隨溫度的升高而減少；低溫時表現(xiàn)為金屬導(dǎo)電行為，電阻率隨溫度的升高而增大。伴隨著絕緣體相向金屬相的轉(zhuǎn)變（轉(zhuǎn)變溫度為TP為250K）,此時電阻率最大。磁電阻計算公式MR=Δρ/ρ(T,H)=. 在低溫100K附近的CMR效應(yīng)是21％，隨著溫度的升高磁電阻值迅速下降。而在居里點附近，出現(xiàn)了個室溫磁電阻效應(yīng)的峰值為5.2%。
圖4 La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3的圖5 La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3/0.1Ag的
ρ－T和CMR效應(yīng)曲線 ρ－T和CMR效應(yīng)曲線
圖6 La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3/0.2Ag的圖7 La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3/0.3Ag的
ρ－T和CMR效應(yīng)曲線ρ－T和CMR效應(yīng)曲線
圖5、圖6、圖7依次是Ag添加比為0.1、0.2、0.3的樣品電阻率ρ和溫度T曲線及磁電阻效應(yīng)曲線。比對幾個樣品零場ρ－T關(guān)系圖可以看出：隨著Ag的逐漸增加，轉(zhuǎn)變溫度TP均沒有變化都是250K左右,但樣品的電阻率卻明顯降低，這主要是因為Ag沒有改變母體材料的結(jié)構(gòu)，所以樣品的轉(zhuǎn)變溫度就沒發(fā)生變化，但由于Ag的良導(dǎo)電性，在晶粒表明又起到稀釋磁性和電阻的作用，因此電阻率有所降低。從幾個樣品的MR－T關(guān)系圖中可以看出：在居里點310K附近，摻雜0.1Ag的樣品室溫CMR為5%；摻雜0.2Ag的樣品室溫CMR為6.5%；摻雜0.3Ag的樣品室溫CMR為7 %。隨著Ag比例的增加，樣品的室溫磁電阻效應(yīng)增強。這可以解釋為，Ag摻雜在晶粒之間，有效的改善了樣品的晶粒邊界低場室溫磁電阻效應(yīng)物理論文物理論文，同時降低邊界上的磁無序狀態(tài)，從而增加本征磁電阻效應(yīng)。
4 結(jié) 論
對于甘氨酸－硝酸鹽法制備的La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3/x Ag（x＝0；0.1；0.15；0.2）系列樣品的微觀結(jié)構(gòu)、磁性、磁電阻性質(zhì)的研究表明：Ag沒有改變母相錳氧化物的本征結(jié)構(gòu)，因此沒有改變樣品的轉(zhuǎn)變溫度TP (250K)和局里溫度Tc(300K)；但所有樣品的磁性和電阻率隨Ag的摻雜量增加而降低，這是由于Ag 填隙在晶粒間，并具有良導(dǎo)電性，在晶粒表面起到稀釋磁性和電阻的作用；Ag摻雜量的增加，使得La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3/x Ag體系的室溫磁電阻效應(yīng)逐漸增強到7 %，這是由于Ag摻雜有效的改善了樣品的晶粒邊界，同時降低邊界上的磁無序狀態(tài)，從而增加本征磁電阻效應(yīng)。
參考文獻(xiàn)
[1]T.Terai，T. Kakeshita，T.Fukuda, T. Saburi,N.Takamoto, K.Kindo, M. Honda,
Phys.Rev.B. ,58(1998),17908.
開展物理實驗科技競賽，即要達(dá)到提高教師“教”的積極性，又要實現(xiàn)激發(fā)學(xué)生“學(xué)”的熱情的目的。大學(xué)物理實驗科技競賽是一項推廣物理概念，培養(yǎng)學(xué)生動手能力的活動。在搭建適合物理實驗科技競賽的平臺方面，要盡可能采用綜合設(shè)計性實驗項目，該實驗項目應(yīng)是全開放式的，只提要求，不設(shè)限制［8］，要求學(xué)生在任課老師指導(dǎo)下對自己在科學(xué)和技術(shù)范疇感興趣的內(nèi)容進(jìn)行研究或設(shè)計，設(shè)計的內(nèi)容可以是對某些自然現(xiàn)象的科學(xué)理論分析；也可以是對儀器設(shè)備的創(chuàng)新設(shè)計制作；或是對現(xiàn)有儀器設(shè)備的原理和設(shè)計進(jìn)行改進(jìn)；或是獨特的測試方法和手段等。將其理論研究成果或設(shè)計思想、設(shè)計原理、實驗結(jié)果等，以科技論文的形式提交，并將該內(nèi)容與科技競賽結(jié)合起來，開展全校性的大學(xué)物理實驗科技競賽活動，以此來提高學(xué)生對物理實驗學(xué)習(xí)的積極性和興趣。進(jìn)而提高物理實驗的效率和教學(xué)質(zhì)量。
2科技競賽的組織實施
2．1科技競賽項目及要求
首先關(guān)于舉辦大學(xué)生物理實驗科技競賽的通知。競賽分為初賽、實驗操作和答辯三個環(huán)節(jié)進(jìn)行，報名與參賽均以組為單位，每組兩人。初賽以筆試形式考查報名選手的基本知識和基本實驗技能。實驗操作考察學(xué)生的動手能力和靈活運用所學(xué)知識設(shè)計實驗的能力，參照我?，F(xiàn)有儀器和條件，提出競賽項目及要求：（1）學(xué)生在校期間完成的物理思想清晰，物理知識點明確的實驗制作或測試方法和手段。（2）學(xué)生在校期間完成的物理思想清晰、與實驗相關(guān)的科研論文和教學(xué)論文。教學(xué)論文包括物理實驗內(nèi)容和方法的改進(jìn)、現(xiàn)代測量技術(shù)在物理實驗中的應(yīng)用以及實驗數(shù)據(jù)處理優(yōu)化等。（3）對物理實驗現(xiàn)有儀器進(jìn)行改進(jìn)，使操作更加便捷、測量更加精確；對物理實驗現(xiàn)有儀器進(jìn)行重新組合，開發(fā)新的實驗項目，完成新的實驗功能；基于物理課現(xiàn)有實驗項目，提出新的實驗方法。實驗操作中要求兩名選手團(tuán)結(jié)協(xié)作，按照自己的設(shè)計方案在規(guī)定時間內(nèi)完成儀器調(diào)試、數(shù)據(jù)測量、提交報告。
2．2評判標(biāo)準(zhǔn)
由任課教師對學(xué)生提交的論文進(jìn)行評定，要求論文的物理思想清晰，物理知識點準(zhǔn)確，論文結(jié)構(gòu)合理，語言描述流暢，符合科技論文的基本要求。
2．3評獎辦法
由任課老師在每自然班篩選出三組同學(xué)進(jìn)入最終的競賽，評獎小組由所有任課教師和物理實驗老師共同組成，最終采用答辯方式確定前三等獎，并頒發(fā)獲獎證書及獎金。其成績可按一定比例計入大學(xué)物理實驗課程的總成績。很明顯，這種充分體現(xiàn)學(xué)生實踐能力的競賽項目及評獎活動，會充分激發(fā)教師和學(xué)生做好物理實驗的積極性和“教好”與“學(xué)好”的熱情，可有效地將老師和學(xué)生結(jié)合成統(tǒng)一的整體。
2．4科技競賽項目實例
競賽項目：利用萬用表檢測較為復(fù)雜的集成電路故障所需儀器：萬用表；集成電路操作過程分析：首先要根據(jù)故障現(xiàn)象，判斷出故障的大體部位，然后通過測量，把故障的可能部位逐步縮小，最后找到故障所在。集成電路中總有一個接地腳與印制電路板上的“地”線是接通的，由于集成電路內(nèi)部都采用直接耦合，因此，集成塊的其他引腳與接地腳之間都存在著確定的直流電阻。可通過用萬用表測量各引腳的內(nèi)部等效直流電阻來判斷其好壞，若各引腳的內(nèi)部等效電阻與標(biāo)準(zhǔn)值相符，說明這塊集成塊是好的；反之若與標(biāo)準(zhǔn)值相差過大，說明集成塊內(nèi)部損壞。當(dāng)然，由于集成塊內(nèi)部有大量的三極管、二極管等非線性元件，在測量中單測得一個阻值還不能判斷其好壞，必須互換表筆再測量一次，獲得正、反向兩個阻值。
只有當(dāng)內(nèi)部直流等效電阻正、反向阻值都符合標(biāo)準(zhǔn)時，才能斷定該集成塊完好。也可采用在路測量。先測量其引腳電壓，如果電壓異常，可斷開引腳連線測接線端電壓，以判斷電壓變化是由元件引起，還是集成塊內(nèi)部引起。在路檢測集成電路內(nèi)部直流等效電阻時可以不必把集成塊從電路上拆下來，只需將電壓或在路電阻異常的腳與電路斷開，同時將接地腳也與電路板斷開，其他腳維持原狀，測量出測試腳與接地腳之間的內(nèi)部直流等效電阻的正、反向陽值便可判斷其好壞。效果與不足：學(xué)生通過競賽對萬用表的使用方法和注意事項有了更加深入的理解，通過對復(fù)雜的集成電路故障的分析檢測，對各種儀器設(shè)備的電路故障分析檢測能力有了明顯的提升，懂得了學(xué)以致用的樂趣，對其他的物理實驗項目也有了濃厚的興趣。不足之處是每個自然班只有三組同學(xué)參加競賽，競賽的影響面不夠?qū)拸V，今后要進(jìn)一步擴大參賽同學(xué)的人數(shù)。
3結(jié)論
關(guān)鍵詞：單片機；交流阻抗特性；等效電路參數(shù)
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Design of Equivalent Circuit Parameter Analyzer for
Two Port Passive Circuit
TANG Zhengming1 ， ZHANG Sanmei2 ， Zeng Jing1
（1 School of Electronic Information and Engineering， China West Normal University， Nanchong Sichuan 637009，China；
2 Experiment Center， China West Normal University， Nanchong Sichuan 637009， China）
Abstract： Equivalent circuit parameter is very important for the process of circuit analysis and design. Based on the refined numerical algorithm of AC impedance， a digital equivalent circuit parameter analyzer is designed. In this system， MCU is used to control frequency synthesizer to generate excitation signal. By adjusting the capacitance and current trends ， the load impedance characteristic is determined. Finally， the AC impedance and equivalent circuit parameter are displayed， which can be obtained under different operating frequency.
Keywords： MCU； AC Impedance Characteristics； Equivalent Circuit Parameters
0引 言
電路交流阻抗隨信號源的頻率變化，其具體表現(xiàn)為一定電阻R、電容C和電感L的串聯(lián)、并聯(lián)或混聯(lián)在給定信號頻率下所得到的等效阻抗。頻率相對較高時，電路還可能產(chǎn)生相對較大的寄生電容、電感，從而出現(xiàn)寄生阻抗。如何快捷準(zhǔn)確地獲取電路在不同工作頻率下的等效電路參數(shù)，對電路的分析與設(shè)計來說有著特殊重要的現(xiàn)實意義[1]。
已有的交流參數(shù)測試儀，其測量對象主要鎖定在對交流電路頻率、有效值、功率，或者單個元件阻值、電感量、電容量的測試，而對交流阻抗的智能化測量的探討研究仍舊較少，且未曾涉及到負(fù)載為黑盒子電路（其可能為RLC元件，某用電器或電路模塊，以下統(tǒng)稱為負(fù)載電路）的等效參數(shù)測量[2-6]。本設(shè)計所實現(xiàn)的電路交流等效電參數(shù)分析儀的核心即為交流阻抗特性分析，通過采用單片機產(chǎn)生激勵信號，能分析出給定工作頻率下負(fù)載電路的交流阻抗特性，并進(jìn)一步得到其等效電路參數(shù)。
1硬件電路
系統(tǒng)原理框圖如圖1所示。主要電路模塊包括單片機（MCU）、放大電路、整流濾波電路、含雙可調(diào)電容的RC振蕩器等[7-8]。
圖1 等效電參數(shù)分析儀原理圖
Fig.1 Schematic diagram of equivalent circuit parameter analyzer
MCU的型號為MSP430F169。放大電路用于將采集到的弱信號放大，再送入整流濾波電路，便于單片機（MCU）接收識別，放大電路型號為AD620。整流濾波電路，用于將采樣信號轉(zhuǎn)化為單向脈動波并濾除附帶產(chǎn)生的雜波信號，使有用信號免受干擾，易于下一級電路的操作處理。可變電容C結(jié)合555定時電路模塊構(gòu)成RC振蕩器，所產(chǎn)生的信號頻率送入單片機識別，進(jìn)而確定出接入電路的電容值。其中，可調(diào)電容C與電路的連接通過開關(guān)控制，該可調(diào)電容C為特制的雙可調(diào)電容（構(gòu)成RC振蕩器的電容與接入測量電路的電容相同，并由同一旋鈕控制調(diào)節(jié)），這樣，可在隔離電路影響的情況下，獲得接入電路電容的精確值。 為定值電阻，主要起限流作用，如當(dāng)電路串聯(lián)諧振時，使電路電流不至于過大，損壞儀器。 為采樣電阻，為小阻值錳銅電阻，用于將負(fù)載電流轉(zhuǎn)換為電壓信號，再送入放大電路。 為負(fù)載電路。
2算法設(shè)計
根據(jù)有效值、功率因素的計算結(jié)果[9]，可得到電路總阻抗
（1）
其中， 、 、 分別表示電路電壓有效值、電流有效值、功率因素。 的正負(fù)與負(fù)載的特性有關(guān)，若負(fù)載為非電容性；則 ，若負(fù)載為非電感性則 。令 ，則有
（2）
系統(tǒng)采用調(diào)節(jié)可變電容C并結(jié)合單片機采集到的電流大小變化情況的方法，確定（2）中的正負(fù)符號，即實現(xiàn)負(fù)載阻抗特性的判定。由于可調(diào)電容與被測負(fù)載并聯(lián)，設(shè)被測負(fù)載的電導(dǎo)和電納分別為 和 ， 可調(diào)電容電納為 ，其等效電路如圖2所示。
圖2 阻抗特性的判斷原理圖
Fig.2 Schematic diagram for the judgement of impedance characteristic當(dāng)端電壓有效值恒定時，電流有效值
（3）
即： （4）
可見，當(dāng) 與 同號，即被測負(fù)載為電容性時，電容增大，電流 單調(diào)上升；而當(dāng) 與 異號，即被測負(fù)載為電感性負(fù)載時，電容增大，電流 將先減小而后增大。因此，單片機可根據(jù)電容調(diào)節(jié)過程中采集到電流變化情況，判斷出負(fù)載的阻抗特性。在此基礎(chǔ)上，設(shè)負(fù)載 的等效阻抗為 ，由于測量電路為可調(diào)電容C與負(fù)載 并聯(lián)，然后再與定值電阻 串聯(lián)，根據(jù)電路串并聯(lián)關(guān)系，則有：
（5）
聯(lián)立（1）-（2）和（5），在已判斷得到負(fù)載的特性的情況下，便可以解出 中的電阻R和電抗X。結(jié)合頻率值即可得
（6）
（7）
因此，對于給定負(fù)載（如某單元電路），該測試儀能夠獲得給定工作頻率下的交流等效電路參數(shù)，便于電路的分析與設(shè)計。
3 系統(tǒng)測試
系統(tǒng)設(shè)計完成后，通過鍵盤設(shè)定激勵信號幅值和頻率，調(diào)節(jié)電容旋鈕，即可讀出負(fù)載的等效電路參數(shù)。首先測試并選取了三個R、L、C電路元件，其參數(shù)值分別為10，10mH，1uF。再將電路元件安插在萬用板上，借助萬用板連接線使其形成簡單的串聯(lián)電路和并聯(lián)電路，并同時具有典型的二端口結(jié)構(gòu)，然后分別測試了信號頻率為1KHz時，負(fù)載的等效電路參數(shù)。用 Idealization（I）和Test （T）分別表示理論值和測量值，結(jié)果如表1所示。
表1 測試結(jié)果
Tab.1 Test results
電阻（） 電感（mH） 電容（uF） 串聯(lián)（；uF） 并聯(lián)（，mH）
I T I T I T I T I T
10 10.02 10 10.33 1 0.97 10 ； 1.65 9.97；1.59 9.91；0.15 10.04；0.23
測量 結(jié)果表明，在1KHz頻率下，所搭建的串聯(lián)電路具有阻容特性，而并聯(lián)電路具有阻感特性。等效電路參數(shù)測量結(jié)果與理論值存在一定差異的可能原因主要在于：除工藝等因素外，導(dǎo)線等所引入的分布阻抗。
4 結(jié)束語
本文設(shè)計了一種電路交流等效電參數(shù)分析儀，可用于完成無源二端口電路的等效電參數(shù)測量。在測量交流等效參數(shù)時（特別在用作RLC測試儀的情況下），若測量頻率較高，分布參數(shù)影響將較為顯著，對低標(biāo)稱值元件的測量尤為不利。如何減小分布參數(shù)對測量結(jié)果的影響，還有待進(jìn)一步研究。
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